
GAN190-650EBEZ Nexperia单 FET、MOSFET
Nexperia GAN190-650EBEZ 单 FET、MOSFET
GAN190-650EBEZ是Nexperia旗下的单 FET、MOSFET 产品,深圳凌创辉电子有限公司提供GAN190-650EBEZ现货库存与价格报价查询。我们可为您提供GAN190-650EBEZ datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐,原装正品保障,支持批量采购与在线询价,发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 3.9A, 6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 12.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 6 V |
| Vgs (Max) | +7V, -1.4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 96 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Supplier Device Package | DFN8080-8 |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
GAN190-650EBEZ Nexperia单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
GAN190-650EBEZ 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
GAN190-650EBEZ 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(190mOhm @ 3.9A, 6V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 12.2mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(2.8 nC @ 6 V)、Vgs (Max)(+7V, -1.4V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(96 pF @ 400 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia:Nexperia(中文名:Nexperia)是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分,Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合,涵盖了二极管、双极晶体管、ESD(静电放电)保护器件、MOSFETs、GaN(氮化镓)FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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深圳凌创辉电子有限公司是Nexperia代理商,专业供应GAN190-650EBEZ等单 FET、MOSFET 产品。如您需要GAN190-650EBEZ的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息,欢迎联系我们获取技术支持。
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