EPC2032 意法半导体单 FET、MOSFET
意法半导体 EPC2032 单 FET、MOSFET
EPC2032是意法半导体旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供EPC2032现货库存与价格报价查询。我们可为您提供EPC2032 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1530 pF @ 50 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
EPC2032 意法半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
EPC2032 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 100V 48A DIE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。
EPC2032 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4mOhm @ 30A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 11mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（+6V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1530 pF @ 50 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
EPC2032 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 意法半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供EPC2032价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 EPC2032 的最新价格和交期信息。
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