S2M0080120K 桑德斯微电子（南京）有限公司单 FET、MOSFET
桑德斯微电子（南京）有限公司 S2M0080120K 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1324 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
S2M0080120K 桑德斯微电子（南京）有限公司单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
S2M0080120K 是由 桑德斯微电子（南京）有限公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
S2M0080120K 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（100mOhm @ 20A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（54 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+25V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1324 pF @ 1000 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 桑德斯微电子（南京）有限公司：桑德斯微电子（南京）有限公司（SMC Diode Solutions）成立于1997年，是一家拥有深厚行业根基的电子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美国高可靠性（HI-REL）半导体公司的商业晶圆厂，这段经历赋予了SMC卓越的制造工艺和对产品质量的极致追求。作为一家专业的电子元件供应商，SMC专注于二极管及相关半导体元器件的设计、制造和销售，其产品凭借出色的性能和严格的质量控制，在全球市场赢得了广泛认可。
S2M0080120K 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 桑德斯微电子（南京）有限公司 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供S2M0080120K价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 S2M0080120K 的最新价格和交期信息。
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