S2M0040120K 桑德斯微电子（南京）有限公司单 FET、MOSFET
桑德斯微电子（南京）有限公司 S2M0040120K 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
S2M0040120K 桑德斯微电子（南京）有限公司单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
S2M0040120K 是由 桑德斯微电子（南京）有限公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Mounting Type: Through Hole、Supplier Device Package: TO-247-4。
S2M0040120K 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case（TO-247-4） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 桑德斯微电子（南京）有限公司：桑德斯微电子（南京）有限公司（SMC Diode Solutions）成立于1997年，是一家拥有深厚行业根基的电子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美国高可靠性（HI-REL）半导体公司的商业晶圆厂，这段经历赋予了SMC卓越的制造工艺和对产品质量的极致追求。作为一家专业的电子元件供应商，SMC专注于二极管及相关半导体元器件的设计、制造和销售，其产品凭借出色的性能和严格的质量控制，在全球市场赢得了广泛认可。
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