| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 200A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4420 pF @ 13 V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
关于 IRF6794MTR1PBF
IRF6794MTR1PBF 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 200A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
IRF6794MTR1PBF 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.7mOhm @ 32A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.35V @ 100µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（47 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4420 pF @ 13 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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IRF6794MTR1PBF 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
英飞凌科技 单 FET、MOSFET 产品 IRF6794MTR1PBF
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