| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
关于 CGD65B200S2-T13
CGD65B200S2-T13 是由 剑桥氮化镓器件 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 9V, 20V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 600mA, 12V。
CGD65B200S2-T13 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.2V @ 2.75mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.4 nC @ 12 V）、Vgs (Max)（+20V, -1V）、FET Feature（Current Sensing）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 剑桥氮化镓器件：**剑桥氮化镓器件 (Cambridge GaN Devices, CGD)：赋能高效电力电子新时代**
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新闻资讯
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