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IAUTN12S5N017ATMA1

¥55.58
单 FET、MOSFET
英飞凌科技

MOSFET_(120V 300V)

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-55°C ~ 175°C
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePG-HSOF-8-1
Package / Case8-PowerSFN

关于 IAUTN12S5N017ATMA1

IAUTN12S5N017ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET_(120V 300V)。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V、Operating Temperature: -55°C ~ 175°C、Mounting Type: Surface Mount。

IAUTN12S5N017ATMA1 共有 8 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package(PG-HSOF-8-1)、Package / Case(8-PowerSFN) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 英飞凌科技:**英飞凌科技(Infineon Technologies):驱动未来电子世界的核心力量**

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新闻资讯

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