| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-16-2 |
| Package / Case | 16-PowerSOP Module |
关于 IAUTN12S5N018TATMA1
IAUTN12S5N018TATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET_(120V 300V)。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V、Operating Temperature: -55°C ~ 175°C、Mounting Type: Surface Mount。
IAUTN12S5N018TATMA1 共有 8 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package（PG-HDSOP-16-2）、Package / Case（16-PowerSOP Module） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
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