| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 534 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
关于 IPAN60R360PFD7SXKSA1
IPAN60R360PFD7SXKSA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 650V 10A TO220。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IPAN60R360PFD7SXKSA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（360mOhm @ 2.9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.5V @ 140µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12.7 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（534 pF @ 400 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
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