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IPP055N08NF2SAKMA1

¥14.11
单 FET、MOSFET
英飞凌科技

TRENCH 40<-<100V

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta), 99A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 55µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 40 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)3.8W (Ta), 107W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackagePG-TO220-3
Package / CaseTO-220-3

关于 IPP055N08NF2SAKMA1

IPP055N08NF2SAKMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。TRENCH 40<-<100V。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V。

IPP055N08NF2SAKMA1 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(5.5mOhm @ 60A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3.8V @ 55µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(54 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2500 pF @ 40 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 英飞凌科技:**英飞凌科技(Infineon Technologies):驱动未来电子世界的核心力量**

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IPP055N08NF2SAKMA1 是什么类型的电子元器件?

IPP055N08NF2SAKMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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