| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93.4 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
关于 RSD080P05TL
RSD080P05TL 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH 45V 8A CPT3。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
RSD080P05TL 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（91mOhm @ 8A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（93.4 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（11000 pF @ 10 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RSD080P05TL
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