规格参数
| Product Status | Last Time Buy |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 263 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 56.8W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-251-3 |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
万国半导体 单 FET、MOSFET 产品 AOU4S60产品描述
AOU4S60 是由 万国半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Last Time Buy、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
AOU4S60 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（900mOhm @ 2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（263 pF @ 100 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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