规格参数
| Product Status | Last Time Buy |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta), 92A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2870 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.2W (Ta), 92.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | UltraSO-8™ |
| Package / Case | 3-PowerSMD, Flat Leads |
万国半导体 单 FET、MOSFET 产品 AOUS66616产品描述
AOUS66616 是由 万国半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8。该器件的核心参数包括：Product Status: Last Time Buy、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 92A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V。
AOUS66616 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（3.3mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（60 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2870 pF @ 30 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
AOUS66616 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 万国半导体 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 AOUS66616 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是万国半导体代理商，专业供应AOUS66616等单 FET、MOSFET 产品。我们提供AOUS66616现货库存、原装正品保障、pdf参数资料下载以及有竞争力的报价，支持在线询价、当天发货。
如需获取AOUS66616的最新报价或技术支持，请联系我们的销售团队：0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
