规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3975 pF @ 22.5 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
万国半导体 单 FET、MOSFET 产品 AON6156产品描述
AON6156 是由 万国半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
AON6156 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.6mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（70 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3975 pF @ 22.5 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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