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STL285N4F7AG

¥10.89
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5600 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)188W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackagePowerFlat™ (5x6)
Package / Case8-PowerVDFN

关于 STL285N4F7AG

STL285N4F7AG 是由 STMicroelectronics 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

STL285N4F7AG 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(1.1mOhm @ 24A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(67 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(5600 pF @ 25 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 STMicroelectronics:STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...

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新闻资讯

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