| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 8 V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 13.2W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 2-PQFN (5x6) |
| Package / Case | 2-PowerTSFN |
关于 TP65H480G4JSG
TP65H480G4JSG 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET 650V, 480mOhm。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V。
TP65H480G4JSG 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（560mOhm @ 3.4A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 500µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（9 nC @ 8 V）、Vgs (Max)（±18V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（760 pF @ 400 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 Transphorm：Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) is a global leader in the design and manufacturing of high performance, high reliability GaN semiconductors for high voltage power conversion systems. With the largest Power GaN IP portfolio of 1,000+ patents, Transphorm produces the industry’s most comprehensive GaN ...
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新闻资讯
Transphorm 单 FET、MOSFET 产品 TP65H480G4JSG
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