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STW68N60M6-4

¥58.44
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4360 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)390W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

关于 STW68N60M6-4

STW68N60M6-4 是由 STMicroelectronics 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

STW68N60M6-4 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(41mOhm @ 31.5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4.75V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(106 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±25V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(4360 pF @ 100 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 STMicroelectronics:STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...

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