规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 10A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62.3 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | +15V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1716 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 187.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
AOM065V120X2Q 万国半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
AOM065V120X2Q 是由 万国半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。1200V SILICON CARBIDE MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.3A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
AOM065V120X2Q 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（85mOhm @ 10A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（62.3 nC @ 15 V）、Vgs (Max)（+15V, -5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1716 pF @ 800 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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