| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3540 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 469W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
关于 SCTH70N120G2V-7
SCTH70N120G2V-7 是由 STMicroelectronics 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCTH70N120G2V-7 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 50A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.9V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（150 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3540 pF @ 800 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 STMicroelectronics：STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...
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新闻资讯
STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 SCTH70N120G2V-7
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