规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 505 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
PMPB33XN,115 恩智浦半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
PMPB33XN,115 是由 恩智浦半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 30V 4.3A DFN2020MD-6。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
PMPB33XN,115 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（47mOhm @ 4.3A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.6 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（505 pF @ 15 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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