DI003N03SQ2 泰迪半导体单 FET、MOSFET
泰迪半导体 DI003N03SQ2 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
DI003N03SQ2 泰迪半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
DI003N03SQ2 是由 泰迪半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET, SO-8, 30V, 3A, 0, 1.6W。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A、Power Dissipation (Max): 1.6W、Mounting Type: Surface Mount、Supplier Device Package: 8-SO。
DI003N03SQ2 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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