规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 483 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
PHP20N06T,127 恩智浦半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
PHP20N06T,127 是由 恩智浦半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。NEXPERIA PHP20N06T - 20.3A, 55V,。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.3A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
PHP20N06T,127 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（75mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（11 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（483 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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