| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
关于 IPD50N04S308ATMA1
IPD50N04S308ATMA1 是由 国际整流器 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IPD50N04S308ATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（7.5mOhm @ 50A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 40µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（35 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2350 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 国际整流器：International Rectifier（中文名：国际整流器），作为一家在电子元器件行业享有盛誉的品牌，凭借其深厚的技术积淀和卓越的产品性能，在全球范围内赢得了广泛认可。自创立以来，国际整流器始终专注于高端电源管理半导体和功率器件的研发、制造与销售，为现代电子设备的发展注入强大动力。其主营产品类别涵盖了功率 MOSFET、IGBT、二极管、整流器、电源管理 IC、模拟 IC 以及一系列高集成度的电源模块等，这些**电子元件**构成了各类电子系统中的关键组成部分。
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新闻资讯
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