PSMN1R4-40YLD,115 恩智浦半导体单 FET、MOSFET
恩智浦半导体 PSMN1R4-40YLD,115 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 238W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
PSMN1R4-40YLD,115 恩智浦半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
PSMN1R4-40YLD,115 是由 恩智浦半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。100A, 40V, 0.00185OHM, N CHANNEL。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
PSMN1R4-40YLD,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.4mOhm @ 25A, 10V）、Vgs (Max)（±20V）、Power Dissipation (Max)（238W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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