| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 7.1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 918 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tj) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB (H) |
| Package / Case | TO-220-3 |
关于 MSJP11N80A-BP
MSJP11N80A-BP 是由 微电子元件公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
MSJP11N80A-BP 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（470mOhm @ 7.1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（24 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（918 pF @ 400 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
微电子元件公司 单 FET、MOSFET 产品 MSJP11N80A-BP
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