| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +18V, -5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
关于 SCTWA35N65G2V-4
SCTWA35N65G2V-4 是由 STMicroelectronics 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。DISCRETE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V。
SCTWA35N65G2V-4 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（67mOhm @ 20A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（73 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+18V, -5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1370 pF @ 400 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 STMicroelectronics：STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...
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新闻资讯
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