规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 40A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 800 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 234W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
NVBG022N120M3S 安森美单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
NVBG022N120M3S 是由 安森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
NVBG022N120M3S 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 40A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.4V @ 20mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（148 nC @ 18 V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3200 pF @ 800 V）、Power Dissipation (Max)（234W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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