| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 459 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-CSP (0.8x0.8) |
| Package / Case | 4-XFLGA, CSP |
关于 KFJ4B01100L
KFJ4B01100L 是由 新唐科技股份有限公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。TMOS。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。
KFJ4B01100L 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（74mOhm @ 1.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1.2mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（459 pF @ 10 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 新唐科技股份有限公司：新唐科技股份有限公司（Nuvoton Technology Corporation）是一家致力于为全球市场提供创新半导体解决方案的领先企业。公司于2008年7月从华邦电子股份有限公司分拆独立，并于2010年9月在台湾证券交易所（TWSE）成功上市。新唐科技专注于微控制器（MCU）、微处理器（MPU）、智能家居、云安全IC、电池监控IC、以及集成视觉传感和物联网（IoT）安全技术的研发与应用，在工业、汽车、通讯、消费电子及计算机等领域均拥有强大的市场影响力。
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新闻资讯
新唐科技股份有限公司 单 FET、MOSFET 产品 KFJ4B01100L
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