| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±22V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8700 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Package / Case | TO-220-3 |
关于 STP80NE03L-06
STP80NE03L-06 是由 STMicroelectronics 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V。
STP80NE03L-06 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（6mOhm @ 40A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（130 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（±22V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（8700 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 STMicroelectronics：STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...
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新闻资讯
STMicroelectronics 单 FET、MOSFET 产品 STP80NE03L-06
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