| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 870 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14500 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 568W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | ISOTOP® |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
关于 APT60M80JVR
APT60M80JVR 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
APT60M80JVR 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（80mOhm @ 500mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（870 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（14500 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 APT60M80JVR
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