| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 22.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
关于 APT50N60JCU2
APT50N60JCU2 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V 52A SOT227。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
APT50N60JCU2 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（45mOhm @ 22.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.9V @ 3mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（150 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7200 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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APT50N60JCU2 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
美高森美 单 FET、MOSFET 产品 APT50N60JCU2
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