APTM20UM09SG 美高森美单 FET、MOSFET
美高森美 APTM20UM09SG 单 FET、MOSFET
APTM20UM09SG是美高森美旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供APTM20UM09SG现货库存与价格报价查询。我们可为您提供APTM20UM09SG datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 74.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 217 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12300 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 780W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | Module |
| Package / Case | J3 Module |
APTM20UM09SG 美高森美单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
APTM20UM09SG 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 200V 195A MODULE。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
APTM20UM09SG 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9mOhm @ 74.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 4mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（217 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（12300 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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