规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 793 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 455mW (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
PMV50EPEAR 恩智浦半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
PMV50EPEAR 是由 恩智浦半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。PMV50EPEA - 30 V, P-CHANNEL TREN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
PMV50EPEAR 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（45mOhm @ 4.2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（19.2 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（793 pF @ 15 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
PMV50EPEAR 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 恩智浦半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供PMV50EPEAR价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 PMV50EPEAR 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是恩智浦半导体代理商，专业供应PMV50EPEAR等单 FET、MOSFET 产品。如您需要PMV50EPEAR的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供PMV50EPEAR现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
