GPIHV5DK 镓能单 FET、MOSFET
镓能 GPIHV5DK 单 FET、MOSFET
GPIHV5DK是镓能旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供GPIHV5DK现货库存与价格报价查询。我们可为您提供GPIHV5DK datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9 nC @ 6 V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 700 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
GPIHV5DK 镓能单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
GPIHV5DK 是由 镓能 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GaNFET N-CH 1200V 5A TO252。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。
GPIHV5DK 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.7V @ 3.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.9 nC @ 6 V）、Vgs (Max)（+7.5V, -12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（90 pF @ 700 V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 镓能：**GaNPower（镓能）：引领新一代功率电子器件的创新力量**
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