| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 131W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
关于 P3M06120K4
P3M06120K4 是由 PN结半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 650V 27A TO-247-4。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
P3M06120K4 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（158mOhm @ 10A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 5mA）、Vgs (Max)（+20V, -8V）、Power Dissipation (Max)（131W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 PN结半导体：PN Junction Semiconductor，中文名“PN结半导体”，是一家专注于高性能功率半导体器件设计与销售的创新型企业，采用Fabless（无晶圆厂）模式，致力于为全球客户提供领先的电子元器件解决方案。品牌自成立以来，便与全球顶级的晶圆代工厂X-FAB建立了深厚的战略合作伙伴关系。X-FAB作为一家拥有超过30年历史且完全通过汽车行业严苛认证的晶圆厂，为PN结半导体提供了卓越的硅碳化物（SiC）功率器件制造支持，确保了产品的高品质与可靠性，使其在竞争激烈的元器件市场中脱颖而出。
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P3M06120K4 是由 PN结半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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