GPIRGIC15DFV 镓能单 FET、MOSFET
镓能 GPIRGIC15DFV 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.5A, 0V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (8x8) |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
GPIRGIC15DFV 镓能单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
GPIRGIC15DFV 是由 镓能 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。Power IC based on Power GaN HEMT。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 8V。
GPIRGIC15DFV 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（105mOhm @ 2.5A, 0V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Supplier Device Package（8-DFN (8x8)）、Package / Case（8-WDFN Exposed Pad） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 镓能：**GaNPower（镓能）：引领新一代功率电子器件的创新力量**
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