| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52.4 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
关于 CDM22012-800LRFP SL
CDM22012-800LRFP SL 是由 Central Semiconductor 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
CDM22012-800LRFP SL 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（450mOhm @ 6A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（52.4 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1090 pF @ 100 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Central Semiconductor：Since 1974, Central Semiconductor has manufactured innovative discrete semiconductors used in electronic products worldwide. Devices currently include standard and custom small signal transistors, bipolar power transistors, MOSFETs, diodes, rectifiers, protection devices, current limiting diodes, br...
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新闻资讯
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