| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720 pF @ 480 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 81W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PQFN (8x8) |
| Package / Case | 4-PowerDFN |
关于 TPH3206LDB
TPH3206LDB 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 650V 16A PQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TPH3206LDB 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（180mOhm @ 10A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.6V @ 500µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6.2 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±18V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（720 pF @ 480 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Transphorm：Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) is a global leader in the design and manufacturing of high performance, high reliability GaN semiconductors for high voltage power conversion systems. With the largest Power GaN IP portfolio of 1,000+ patents, Transphorm produces the industry’s most comprehensive GaN ...
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新闻资讯
Transphorm 单 FET、MOSFET 产品 TPH3206LDB
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