规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 490mOhm @ 9.4A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 75W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Package / Case | TO-257-3 |
JANSR2N7381 美高森美单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
JANSR2N7381 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V。
JANSR2N7381 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（490mOhm @ 9.4A, 12V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（50 nC @ 12 V）、Vgs (Max)（±20V）、Power Dissipation (Max)（2W (Ta), 75W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
JANSR2N7381 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供JANSR2N7381价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 JANSR2N7381 的最新价格和交期信息。
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