STB25NF06AG 意法半导体单 FET、MOSFET
意法半导体 STB25NF06AG 单 FET、MOSFET
STB25NF06AG是意法半导体旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供STB25NF06AG现货库存与价格报价查询。我们可为您提供STB25NF06AG datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
STB25NF06AG 意法半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
STB25NF06AG 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 60V 19A D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
STB25NF06AG 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power Dissipation (Max)（50W (Tc)）、Mounting Type（Surface Mount）、Supplier Device Package（D²PAK (TO-263)）、Package / Case（TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 意法半导体：意法半导体是一家全球独立的半导体公司，是开发和提供微电子应用领域半导体解决方案的领导者。公司结合了硅和系统方面的专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合以及战略合作伙伴关系，使其在系统级芯片（SoC）技术的前沿占据领先地位，其产品在推动当今的融合趋势中发挥着关键作用。
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