ISP06P008NSATMA1 英飞凌科技单 FET、MOSFET
英飞凌科技 ISP06P008NSATMA1 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
ISP06P008NSATMA1 英飞凌科技单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
ISP06P008NSATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CH SOT223-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Mounting Type: Surface Mount、Supplier Device Package: PG-SOT223、Package / Case: TO-261-4, TO-261AA。
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