| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 660mA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 16 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
关于 SI3139KW-TP
SI3139KW-TP 是由 微电子元件公司 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET P-CHANNEL MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
SI3139KW-TP 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（520mOhm @ 1A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250µA）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（175 pF @ 16 V）、Power Dissipation (Max)（200mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
微电子元件公司 单 FET、MOSFET 产品 SI3139KW-TP
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