TN2130MF-G-VAO 微芯科技单 FET、MOSFET
微芯科技 TN2130MF-G-VAO 单 FET、MOSFET
TN2130MF-G-VAO是微芯科技旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供TN2130MF-G-VAO现货库存与价格报价查询。我们可为您提供TN2130MF-G-VAO datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85mA (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25Ohm @ 120mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-DFN (2x2) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
TN2130MF-G-VAO 微芯科技单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
TN2130MF-G-VAO 是由 微芯科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V。
TN2130MF-G-VAO 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（25Ohm @ 120mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 1mA）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（50 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（360mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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