规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 143 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6-6 |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
BSD214SNH6327 英飞凌科技单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
BSD214SNH6327 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。
BSD214SNH6327 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（140mOhm @ 1.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 3.7µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.8 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（±12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（143 pF @ 10 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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