规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9815 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
FDI030N06 仙童半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
FDI030N06 是由 仙童半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
FDI030N06 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（3.2mOhm @ 75A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（151 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（9815 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 仙童半导体：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半导体”，是全球知名的半导体解决方案供应商，以其在功率半导体和模拟集成电路领域的深厚积淀而闻名。自创立以来，仙童半导体一直致力于提供高性能、高可靠性的电子元器件，成为众多行业领先企业信赖的合作伙伴。其主营产品类别广泛，涵盖了功率器件（如MOSFET、IGBT、二极管）、模拟IC（如运算放大器、数据转换器、电源管理IC）、逻辑IC以及汽车电子专用器件等。这些电子元件是现代电子设备不可或缺的基础。
FDI030N06 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 仙童半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供FDI030N06价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 FDI030N06 的最新价格和交期信息。
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