FQT3P20TF_SB82100 仙童半导体单 FET、MOSFET
仙童半导体 FQT3P20TF_SB82100 单 FET、MOSFET
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 670mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
FQT3P20TF_SB82100 仙童半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
FQT3P20TF_SB82100 是由 仙童半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
FQT3P20TF_SB82100 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.7Ohm @ 335mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（250 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 仙童半导体：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半导体”，是全球知名的半导体解决方案供应商，以其在功率半导体和模拟集成电路领域的深厚积淀而闻名。自创立以来，仙童半导体一直致力于提供高性能、高可靠性的电子元器件，成为众多行业领先企业信赖的合作伙伴。其主营产品类别广泛，涵盖了功率器件（如MOSFET、IGBT、二极管）、模拟IC（如运算放大器、数据转换器、电源管理IC）、逻辑IC以及汽车电子专用器件等。这些电子元件是现代电子设备不可或缺的基础。
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深圳凌创辉电子有限公司是仙童半导体代理商，专业供应FQT3P20TF_SB82100等单 FET、MOSFET 产品。如您需要FQT3P20TF_SB82100的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
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