| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 568W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Package / Case | SP1 |
关于 APTML50UM90R020T1AG
APTML50UM90R020T1AG 是由 美高森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 500V 52A SP1。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
APTML50UM90R020T1AG 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（108mOhm @ 26A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 2.5mA）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7600 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（568W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
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