CSD83325LT 德州仪器FET、MOSFET 阵列
德州仪器 CSD83325LT FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 2.3W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFBGA |
| Supplier Device Package | 6-PicoStar |
CSD83325LT 德州仪器FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
CSD83325LT 是由 德州仪器 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V。
CSD83325LT 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（2.3W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-XFBGA）、Supplier Device Package（6-PicoStar） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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