| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 300mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 15V |
| Power - Max | 150mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
关于 UM6X1NA-TP
UM6X1NA-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。DUAL N-CHANNEL MOSFET, SOT-563。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V。
UM6X1NA-TP 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.28nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（28pF @ 15V）、Power - Max（150mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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新闻资讯
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