
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5A, 4.5V, 51mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.65nC @ 4.5V, 5.41nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 418pF @ 10V, 880pF @ 6V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN2020-6L |
关于 MCMNP2065A-TP
MCMNP2065A-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, DFN2020。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 4.5V, 51mOhm @ 3.4A, 4.5V。
MCMNP2065A-TP 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(7.65nC @ 4.5V, 5.41nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(418pF @ 10V, 880pF @ 6V)、Power - Max(2W)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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新闻资讯
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